Hello,大家好，今天我们来盘点下，在半导体制造中光刻工艺用到了哪些掩模版（光罩）呢？

主要是三种类型的掩模版：接触式掩模版，投影式掩模版，反射式掩模版。

一。接触式掩模版

优点
设备成本相对较低，能够以较低的成本制造出较小的特征尺寸，适用于一些对成本敏感且对图形精度要求不是极高的场景。
缺点
掩模版与晶圆直接接触，容易在两者表面产生划痕、磨损等缺陷，影响产品质量和掩模版使用寿命；依赖人工操作进行对准，对准精度有限，且效率较低；每次接触可能会引入灰尘、杂质等污染物，降低光刻的良品率。
应用
成熟的集成电路制造，封装，微机电系统制造（MEMS），光学器件制造，PCB等领域。

主要的产品是：铬(Cr)二元掩模版。

二。投影式掩模版

优点
掩模版与晶圆不直接接触，避免了接触式掩模版可能产生的划痕、磨损和污染等问题，提高了光刻的良品率和掩模版的使用寿命；通过投影透镜的成像系统，能够实现更高的图形分辨率和精度，适用于制造大规模集成电路等对图形精度要求高的场景；采用缩小投影的方式，掩模版上的图形可以比晶圆上的图形大，便于制作和检测，同时也降低了对掩模版制造精度的要求。
缺点
投影式光刻系统的光学结构复杂，设备成本高；对光刻工艺的环境要求严格，如温度、湿度、洁净度等，以保证光学系统的稳定性和成像质量；由于采用投影成像，光线在传播过程中可能会发生散射、衍射等现象，需要对光学系统进行精确的设计和校正，以减少对图形质量的影响。
应用
先进的集成电路制造制造，平板显示制造，微机电系统制造（MEMS），光通信、光学存储、微纳光学等领域。

按照投影比例主要的产品如下：

【1:1】比例的投影式掩模版

产品：铬(Cr)二元掩模版。

【5:1】比例的投影式掩模版

产品：铬(Cr)二元掩模版。

【4:1】比例的投影式掩模版，产品如下：

1. 铬（Cr）二元掩模版。

2. 钼硅（OMOG）二元掩模版。

3. KrF（248nm）相移掩模版。

4. ArF（193nm）相移掩模版。

三。反射式掩模版

优点
适用于极紫外光刻等短波长光刻技术，解决了短波长光易被物质吸收，无法采用透射式掩模版的问题；反射式掩模版采用坚固的背支撑结构，相比透射式掩模版，能有效防止由装校应力以及热应力产生的变形；可实现较高的反射率，如 EUV 反射式掩模版的反射率可达 70% 左右，提高了光刻的精度和效率。
缺点
制作工艺复杂，需要精确控制多层膜的厚度、材料成分等参数，以确保反射性能和图案精度；成本较高，由于其复杂的结构和高精度的制作要求，反射式掩模版的制造成本相对较高；对使用环境和设备要求严格，需要在高真空、超洁净等特殊环境下使用，且需要配套高精度的光刻设备。

产品：EUV掩模版。

图片来源Baidu

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盘点下在半导体制造中光刻工艺用到的那些掩模版