以下是半导体工艺行业中常见的“黑话”（行业术语）汇总，涵盖晶圆制造、封装测试、设备材料等环节，帮助快速理解行业交流中的专业术语：

一、前段工艺（Front-End）

1. CD（Critical Dimension，关键尺寸）：芯片上最小结构的尺寸（如晶体管栅极宽度），决定性能的关键参数。

2. Overlay（套刻精度）：多层光刻图案之间的对准精度，误差过大会导致电路失效。

3. Litho（光刻）：通过光刻机将电路图案转移到晶圆上的工艺。

4. Etch（刻蚀）：用化学或物理方法去除不需要的材料，形成电路结构。

5. Depo（沉积）：在晶圆表面沉积薄膜材料（如CVD、PVD）。

6. Dose（剂量）：离子注入工艺中的掺杂浓度。

7. RTA（快速热退火）：高温快速处理晶圆以修复晶格损伤。

8. DUV（深紫外光刻）：使用193nm波长光源的光刻技术。

9. EUV（极紫外光刻）：更先进的13.5nm波长光刻技术，用于5nm以下制程。

10. Hot Lot（热批）：需要优先处理的紧急晶圆批次。

二、中段工艺（Middle-End）

1. CMP（Chemical Mechanical Planarization，化学机械抛光）：平坦化晶圆表面的工艺。

2. STI（Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离）：用于隔离晶体管的绝缘结构。

3. HKMG（High-K Metal Gate，高介电金属栅极）：提升晶体管性能的栅极结构。

4. FinFET（鳍式场效应晶体管）：3D晶体管结构，提升芯片密度与能效。

5. GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）：下一代晶体管技术，取代FinFET。

三、后段工艺（Back-End）

1. Bumping（凸块）：在芯片表面制作金属凸点，用于封装连接。

2. Underfill（底部填充）：封装时填充芯片与基板之间的空隙以增强可靠性。

3. RDL（Redistribution Layer，重布线层）：重新布局芯片引脚连接。

4. TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）：穿透硅片的垂直互连技术，用于3D封装。

5. FOWLP（Fan-Out Wafer Level Packaging，扇出型晶圆级封装）：高密度封装技术。

四、通用术语

1. Fab（晶圆厂）：半导体制造工厂（如台积电TSMC、三星Foundry）。

2. Wafer（晶圆）：硅片，用于制造芯片的圆形基底。

3. Die（裸片）：晶圆上切割下来的单个芯片。

4. Mask（光罩）：包含电路图案的模板，用于光刻。

5. WAT（Wafer Acceptance Test，晶圆验收测试）：晶圆出厂前的电性测试。

6. Killer Defect（致命缺陷）：导致芯片失效的缺陷。

7. Cycle Time（周期时间）：晶圆从投片到出货的总时间。

8. MPW（Multi-Project Wafer，多项目晶圆）：多个设计共享同一晶圆以降低成本。

五、测试与质量

1. CP（Chip Probing，晶圆测试）：在切割前测试晶圆上的裸片。

2. FT（Final Test，成品测试）：封装后的最终测试。

3. Yield（良率）：合格芯片占总生产量的百分比。

4. PPM（Parts Per Million，百万分缺陷率）：衡量质量的指标。

5. Golden Sample（黄金样品）：用于对比测试的标准样品。

六、材料与设备

1. Photoresist（光刻胶）：光刻工艺中的感光材料。

2. Slurry（抛光液）：CMP工艺中使用的化学研磨液。

3. FOUP（Front-Opening Unified Pod，晶圆传送盒）：存放和运输晶圆的容器。

4. Scrubber（洗涤器）：处理工艺废气的环保设备。

5. ASML：全球最大的光刻机厂商（EUV技术垄断者）。

七、行业黑话（口语化）

1. “跑片”：晶圆在Fab内不同机台间的流转。

2. “卡脖子”：因关键设备/材料短缺导致生产受阻（如EUV光刻机）。

3. “打枣”：快速调试或临时修复工艺问题。

4. “吃参数”：通过调整工艺参数解决良率问题。

5. “炸机”：设备故障导致晶圆报废。

更多「光电lightigo」精彩内容，欢迎点击「阅读原文」

半导体人必懂的50个‘黑话’：从光刻到封装，一文解锁行业暗号！