Hello,大家好，今天来介绍下常见的四种晶体管。

1.BJT: Bipolar Junction Transistor/双极型晶体管

在两个N型半导体之间夹着一个非常薄的P型半导体的双极型晶体管称为NPN型晶体管，而在两个P型半导体之间夹着一个N型半导体的双极型晶体管称为PNP型晶体管。“晶体管” 一词通常指这种晶体管，但由于现在出现了许多场效应晶体管产品，因此使用“双极型晶体管”一词来与之区分。而内置电阻的晶体管则被归类为数字晶体管。

2.FET: Field Effect Transistor/场效应管

场效应管是一种通过向栅极施加电压，在半导体内部产生电场，从而控制源极和漏极之间的电流的晶体管。根据栅极结构的不同，它们可分为MOS(Metal-Oxide-Semiconductor:金属氧化物半导体)型和结型。

MOS型包括使用传统的硅(Si)作为半导体材料的 Si-MOSFET 和使用碳化硅(SiC) 作为功率半导体的 SiC-MOSFET。Si-MOSFET 通常被称为 MOSFET；Si-MOSFET 中的Super Junction MOSFET通过改进制造工艺实现了更高的功率和速度。

场效应晶体管的另一种分类是工作模式，这取决于是否在栅极上施加电压。主要可分为两种类型：增强型（除非在栅极上施加电压，否则不会有电流流过）和耗尽型（无电压时有电流流过）。现在大多数 MOSFET 都是增强型，而所有 JFET 都是耗尽型。另外一种可以实现高速开关的场效应功率晶体管是HEMT（高电子迁移率晶体管）。它的电流路径采用横向结构，并采用掺杂极少的化合物半导体，例如用氮化镓（GaN）作为化合物半导体等。

3.IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor/绝缘栅双极型晶体管

IGBT 是 MOSFET 和双极型晶体管的结合体，是兼具各自优秀特性的功率晶体管。有几种制造工艺可以改善低 VCE(sat) 和快速开关特性等。

4.光电晶体管

光电晶体管属于光电子技术。它是光电二极管和晶体管的组合，晶体管的基极电流由光线输入。半导体材料是硅。

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四种常见的晶体管:BJT，FET，IGBT，光电晶体管