Hello，大家好，光刻机是半导体制造中的核心设备，这个设备非常的精密，我们先看看光刻机的三大核心指标。

光刻机的三大核心指标包括分辨率、套刻精度和产能，这三项指标是光刻机子系统、零部件、光刻工艺相互配合、共同作用的综合结果。

⚫.分辨率（Resolution）：随瑞利准则不断改进，由曝光光源波长λ、物镜数值孔径NA、光刻工艺因子k1共同决定。

单位：nm

含义：代表芯片结构中的最高图形分辨率——最小线宽半间距（Metal 1 half pitch）。一般对于32/28nm及以上技术节点的逻辑器件，分辨率等于技术节点；而对于 32/28nm以下节点的逻辑器件，由于晶体管进入立体结构时代，分辨率大于技术节点。

影响因素：分辨率R=k1*λ/NA，由曝光光源波长λ、物镜数值孔径NA、光刻工艺因子k1三者共同决定。

⚫.套刻精度（Overlay Accuracy）：即多次光刻的图案层之间的对齐精度。

套刻精度分为两类：单机套刻精度（SMO）和多机套刻精度（MMO），一般MMO>SMO，多重曝光工艺对套刻精度的要求更高。套刻精度的高低直接影响到芯片的性能和可靠性。而影响套刻精度的因素主要包括光刻机自身的减振性、光源的稳定性、光刻胶的特性以及光刻机对温湿度的控制能力等。

单位：nm

含义：多次光刻的图案层之间的对齐精度，分为单机套刻精度（SMO）和多机套刻精度（MMO），一般MMO>SMO，多重曝光工艺对套刻精度的要求更高。

影响因素：光刻机自身的减振性、光源的稳定性、光刻胶的特性以及光刻机对温湿度的控制能力等。

⚫.产能（Throughput/Productivity）：指曝光速度，通常用光刻机每小时处理的晶圆数量度量（WPH）。

决定光刻机产能的主要因素是光刻机光源的输出功率、光刻胶的敏感度以及工件台的设计。曝光功率越大、光刻胶越敏感，晶圆曝光所需要的时间越短，产能越高。此外，双工件台的出现也大幅提升了光刻机的产能。

单位：wph

含义：即曝光速度，通常用光刻机每小时处理的晶圆数量度量（wph）。

影响因素：光刻机光源的输出功率、光刻胶的敏感度以及工件台的工作效率等。

图片来源于网络

大家有什么意见或建议，欢迎留言或私信，小编也在一边学习一边成长

半导体制造中光刻机设备的三大核心技术指标