MOSFET栅极（G）限流电阻在电路中扮演着至关重要的角色，其作用与影响具体如下：

一、作用

限流：当MOSFET导通时，栅极电阻能够限制流向栅极的电流。由于MOSFET的栅极具有高阻抗特性，如果没有电阻，栅极电压的快速变化可能引发过大的电流，进而损坏设备。限流电阻的存在可以有效防止这种情况的发生。
控制栅极充电和放电速度：栅极电阻的值直接影响栅极电容的充电和放电速度。较大的电阻值会减慢栅极电容的充电和放电过程，从而影响MOSFET的开关速度。这一特性允许设计师根据实际需求调整MOSFET的开关特性。
防止栅极振荡：在MOSFET的开关过程中，如果没有适当的栅极电阻，可能会产生栅极振荡。这种振荡会导致MOSFET过热并可能损坏。栅极电阻能够提供一个阻尼，吸收振荡信号，从而稳定电路性能。
调整阈值电压：对于某些MOSFET，栅极电阻可以用来调整其阈值电压。通过改变栅极电阻的值，可以影响MOSFET的开启和关闭行为，使其更适应特定的电路需求。
提供偏置：在某些电路中，栅极电阻可能用于为MOSFET提供偏置电压，以控制其工作状态。这种偏置电压有助于确保MOSFET在正确的电压范围内工作，从而提高电路的稳定性和可靠性。
保护MOSFET：限流电阻能够限制流向MOSFET的电流，从而防止MOSFET因过大的电流而损坏。特别是在高压或高频电路中，限流电阻的保护作用尤为重要。

二、影响

开关速度：栅极电阻的大小会直接影响MOSFET的开关速度。较大的电阻值会减慢栅极电容的充电和放电速度，从而减慢MOSFET的开关速度。因此，在选择栅极电阻时，需要权衡开关速度与限流效果之间的关系。
功耗：栅极电阻会消耗一定的功率，特别是在MOSFET频繁开关的情况下。这种功耗可能会导致电路的整体效率降低。因此，在设计电路时，需要考虑栅极电阻的功耗对电路效率的影响。
热效应：由于栅极电阻会消耗功率，因此会产生热量。如果栅极电阻的阻值过大或散热不良，可能会导致电阻过热并损坏。因此，在选择和安装栅极电阻时，需要考虑其热效应和散热问题。

三、应用电路

在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等：

R13 10Ω的G极限流电阻

1、限制G极电流

MOS管是由电压驱动的，是以G级电流很小，但是因为寄生电容的存在，在MOS管打开或关闭的时候，因为要对电容进行充电，所有瞬间电流还是比较大的。特别是在开关电源中，MOS管频繁的开启和关闭，那么就要更要考虑这个带来的影响了。

Ciss=1290pF，可以看到，这个寄生电容是很可观的。

简单估算一下，假设Vgs=10V，dt=Tr(上升时间)=20ns ，Ciss=1290pF，那么可得G极在开关时的瞬间电流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。

在基极串联一个电阻，与Ciss形成一个RC充放电电路，可以减小瞬间电流值，不至于损毁MOS管的驱动芯片。

因为增加的这个电阻，会减缓MOS管的开启与通断时间，增加损耗，所以不能接太大。这也是为什么电阻是几欧姆或者几十欧姆的原因所在。

2、抑制振荡

OS管接入电路，也会有引线产生的寄生电感的存在，与寄生电容一起，形成LC振荡电路。对于开关方波波形，是有很多频率成分存在的，那么很可能与谐振频率相同或者相近，形成串联谐振电路。

串联一个电阻，可以减小振荡电路的Q值，是振荡快速衰减，不至于引起电路故障。

如果没有栅极电阻，或者电阻阻值太小

MOS导通速度过快，高压情况下容易击穿周围的器件。

栅极电阻阻值过大

MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导致MOS管发烫。过于频繁地导通会使热量来不及发散，MOS温度迅速身高。

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结束语

MOSFET栅极（G）限流电阻的作用与影响