前言

近年来，随着半导体行业的快速发展，确实涌现出许多MOSFET原厂品牌。以下是一些国内知名的MOSFET原厂品牌：

华润微（688396.SH）：作为中国的一家重要半导体公司，华润微在MOSFET领域具有显著的地位，其产品在市场上备受关注。
士兰微（600460.SH）：士兰微不仅专注于集成电路和半导体微电子产品的设计、生产和销售，还在MOSFET领域有着深厚的积累。
新洁能（605111.SH）：新洁能在功率半导体领域具有较强的研发和生产能力，其MOSFET产品在市场上具有一定的竞争力。

除了上述品牌，英飞凌、安森美、意法半导体（STMicroelectronics）、东芝（Toshiba Corporation）以及Vishay Intertechnology等也是全球范围内知名的MOSFET供应商，它们在技术、品质和市场占有率等方面都有着显著的优势。

需要注意的是，半导体行业是一个不断发展和变化的领域，新的MOSFET原厂品牌可能会不断涌现，而现有品牌也可能通过技术创新和市场拓展来巩固其地位。因此，对于半导体行业和相关企业来说，保持对新技术和新市场的关注，不断提升自身的研发和生产能力，是保持竞争力的关键。

下面带大家了解下MOSEFET的发展进程，首先了解下半导体产品分类；

功率管发展史

MOSFET名称

MOSFET特性

MOSFET简单模型

MOSFET制造工艺

MOSFET重点工艺

SGT三大优势

优势1：提升功率密度

SGT结构相对传统的Trench结构，沟槽挖掘深度深3-5倍，可以横向使用更多的外延体积来阻止电压，显著降低了MOSFET器件的特征导通电阻(Specific Resistance)。

优势2：极低的开关损耗

SGT相对传统Trench结构，具有低Qg 的特点。屏蔽栅结构的引入，可以降低MOSFET的米勒电容CGD达10倍以上，有助于降低器件在开关电源应用中的开关损耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流应用中抑制shoot-through的关键指标，采用SGT结构，可以获得更低的CGD/CGS比值。

优势3：更好的EMI优势

SGT MOS结构中的内置电阻电容缓冲结构，可以抑制DS电压关断时的瞬态振荡，如右图，开关电源应用中，SGT结构中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件关断时dv/dt变化带来的尖峰和震荡，进一步降低应用风险。

重点工艺介绍（超结Supper junction工艺）

现有的两种工艺：

1.Multple Epitaxy（英飞凌的Cool MOS一直是该工艺）

2.Deep Trench（华虹、富士、东芝）

相比传统的MOS产品，超结（SJ） MOS优势:

1.相比传统MOS,它的RDS(ON)会更小，Vth更低，因此具有更低的导通电阻和更好的导通特；

2.漏电流更小，因此具有更低的功耗和更高的效率；同样，SJ MOS也会出现一定的缺陷问题，它表现在抗浪涌能力比较低的情况上面。因此，在使用超结MOS时，需要特别注意其抗浪涌能力，特别是户外产品，需要设计好浪涌保护电路。

重点工艺介绍（超结Supper junction工艺）

Multi-EPI：它是基于平面硅生长技术，采用的是多层外延生长技术，通过在硅衬底上，再通过多次掺杂，热推进，生长多层掺杂不同的外延层，形成多个PN结，从而实现超结MOS的结构。

它有着更高的电压承受能力和更低的导通电阻，相比传统的Super Junction技术，Multi-EPI的SJ技术能够实现更高的电压承受能力和更低的导通电阻，同时还可以降低相应的生产成本。产品已经广泛应用于电源、照明、电动汽车等领域。

Multi-EPI工艺优点：

由于整个外延过程是基于平整界面生长，在这个过程中，外延位错缺陷会比较少，在漏电，高温可靠性，长期可靠性等方面具有很好的优势，产品动态特性能较为优良。

缺点：该制备工艺相对复杂，成本比较高，光刻控制相对困难。

重点工艺介绍（超结Supper junction工艺）

Deep-Trench：它是先通过外延设备生长一层几十u m 的外延层，然后通过深槽刻蚀设备刻出深宽比很高的沟槽，再通过外延方式将沟槽填充起来，形成P 柱结构，等效于Mu lti- EPI的P 柱结构。

优点：由于只需要一次掩刻和填充，工艺简单，成本较低，它可以减少晶体缺陷，从而提高产品的可靠性和稳定性。

缺点：

1.由于硅在深槽过程中，侧边与底部蚀刻形貌很难控制到很平滑；该工艺深宽比比较大，晶体外延填充过程中容易导致沟槽底部形成不规则的空洞（Voild ），造成芯片在长期高温工作时可靠性下降。

2.由于界面接近突变结，动态特性相对差一些，在应用过程中相对棘手一些。

MOSFET常用封装

TO-247封装

TO-247封装尺寸介于模块与单管之间，能封装大部分的电子元器件，一般为非绝缘封装。管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话,它的耐压和电流会比较大一点。

TO-247封装分类

1.TO-247-2L，应用在大功率二极管。

2.TO-247-3L，应用在大功率的MOSFET和IGBT。

a.TO-247AC

b.TO-247AD（AC比AD窄，且金属脚短），市场上能通用

c.TO-247plus

3.TO-247-4L，应用在SIC MOSFET为主。

TO-247PLUS封装

优点：有源芯片面积增大，电流密度增大，TO-247PLUS 封装背面热焊盘面积增大 35%，从而使封装 Rth 降低 20%，散热能力提高 15%。

TO-247-4L封装

优点：

1.有助于提高MOSFET开关速度。

MOSFET导通时由于源级焊线产生的寄生电感的存在，会产生反向的感应电压，该电压降低了通过栅极和源极的电压。导通后栅极电压的下降，降低了导通速度。而在TO-247-4L封装中，通过MOSFET的VGS电压几乎等于驱动电压。故与TO-247-3L封装相比，TO-247-4L封装更有助于提高MOSFET开关速度。

2.可以降低导通损耗。

相比于TO-247-3L，由于TO-247-4L封装开关速度更快，开关损耗大幅度降低，器件的开关速度越快Kelvin引脚带来的好处就越多。

3.有助于抑制栅极振荡。

相比于TO-247-3L，由于TO-247-4L封装中寄生电感的减小，其栅极振荡幅度更小。

TO-247-3L、TO-247-4L内部情况和封装尺寸

TOLL(Transistor Outline Leadless)封装

特点：

1.非常低的导通电阻，低的封装寄生和电感效应。

2.出色的EMI表现和热性能。

3.空间节省：package 厚度 2.3mm，占板面积 115m㎡。相比 TO-263-

6L，TOLL占板面积缩小30％，高度减小50％。

4.封装拥有可润湿侧翼，适用于汽车市场。

5.电流能力强大，适用于中低压 MOS（耐压40V～150V，电流可大于

300A ）、超结 SJ-MOS （600V以上高压）。

TOLL(Transistor Outline Leadless)封装---厂家

国际公司：英飞凌（80V-150V），安森美（600V以上的高压管和40V-150V SGT MOSFET），东芝（600V-650V，40A以内的高压管），罗姆硅产品没有TOLL封装的产品。

国内公司：无锡新洁能（60V-150V SGT MOSFET），深圳尚阳通（150V和650V都有），苏州东微（600V高压），上海功成（40V-100V和600V都有），上海恒泰柯（65V-150V），深圳威兆（40V-200V）。

市场分布来看，大部分公司的TOLL封装的产品是在30V-250V，大电流的，而600V以上高压的，只有小部分公司在做，电流范围也是在60A以内的为主。

主要是争TO-263封装的市场，从电流来看，一个TOLL封装的管子可以替换两个TO-263封装的管子，减少空间和降低成本。

一文让你了解半导体行业之分立器件-MOSFET进化史