以下内容基于官网、年报/公告、技术资料、渠道/代理与媒体公开信息整理，仅供参考。

1. 公司定位与总体概览
新洁能（NCE Power，无锡新洁能股份有限公司，A股代码605111）专注功率半导体分立器件，核心聚焦 MOSFET、IGBT 及其模块，并向 SiC（碳化硅）功率器件、FRD（快恢复二极管）、肖特基等方向延伸，形成多电压平台支持消费电子、汽车电子、新能源与工业应用。

2. 产品线总体框架
主要产品族包括：沟槽型功率 MOSFET、屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET、超结（SJ）MOSFET、IGBT 单管、第七代场截止微沟槽 IGBT、RC-IGBT、PIM（功率集成模块）、SiC MOSFET、SiC SBD/FRD、硅基 FRD、肖特基/沟槽肖特基、以及配套的高压与中低压电压覆盖（-200V~1050V MOSFET、电压等级 650V/750V/1200V/1700V IGBT 模块等），形成“硅 + 第三代半导体”并行布局。

3. MOSFET 基础平台与电压覆盖
MOSFET 系列覆盖从负压器件到 1050V 的宽电压段，利用先进沟槽与屏蔽栅结构降低导通损耗、改善电流分布，提高在高频及同步整流场景的效率与热均衡，支撑适配多样化终端板级电源与功率转换拓扑。

4. 超结（Superjunction）MOSFET 技术与一代代演进
超结结构通过垂直 P/N 柱电荷补偿突破传统硅“击穿电压—导通电阻”权衡，Gen4 800V/900V 产品在结构密度与特征导通电阻（Rds(on)/A）上进一步下降，同时增强高温导通一致性和功率密度，适配更高能效的高压适配器、光伏储能辅助电源与工业电源。

5. 沟槽/屏蔽栅（Trench & SGT）MOSFET 特点
采用先进沟槽栅与屏蔽栅版图与工艺，均匀电流路径、降低栅电荷与 Miller 效应，减少导通与开关综合损耗，提升在中低压高频 DC/DC、主板和 OBC 辅助级的效率与 EMI 设计弹性。

6. IGBT 单管技术代次与性能提升
第七代微沟槽场截止 IGBT 在 650V 与 1200V 平台实现栅电荷下降 50% 以上、电流密度提升至 550A/cm²、饱和压降低 10% 以上，并推出 1200V 150A TO-247plus 单管与 RC-IGBT 样品，通过载流子存储与多梯度背面缓冲层设计优化开关与导通效率。

7. IGBT 模块（PIM）产品线与封装多样性
PIM 系列提供 650V、750V、1200V、1700V 等等级，并支持多种通用封装与拓扑（逆变、PFC、整流等），用于工业变频、工业逆变、新能源与汽车电子等场景，满足更高功率密度与系统级热循环可靠性需求。

8. RC-IGBT 与高电流光伏/储能场景适配
面向光伏逆变与储能系统的新一代高电流 IGBT（含 1200V/800A、650V/450A、1200V/600A 等模块规划）与 RC-IGBT 可靠性测试完成，为中功率逆变与部分模块替代创造条件，提升系统 BOM 与热管理竞争力。

9. 快恢复二极管（FRD）平台
自研正温度系数高性能 FRD 与 IGBT 第七代芯片匹配，已构建 400V、650V、750V、1200V、1600V 等产品平台并试产，正温度系数有利于并联电流自动均流；快速恢复降低反向恢复损耗与 EMI。

10. FRD 与一般整流二极管的差异（科普说明）
FRD 通过缩短 trr（几十 ns 级）以适应数十到数百 kHz 高频整流，牺牲部分正向压降换取反向恢复损耗与效率改善，在 PFC、 LLC 与高频反激等拓扑中提升系统能效并减小磁性与散热尺寸。

11. 肖特基与沟槽肖特基（TMBS）/SiC SBD 延展
沟槽肖特基结构（专利公开）通过在沟槽侧壁/底部注入区调控电场，兼顾低正向压降与反向漏电抑制；同时公司布局 SiC 肖特基（SBD）专利及高耐压设计，为高温、高压、高频整流提供更高效率与热稳定性路径。

12. SiC MOSFET 进展与特性
已开发 1200V 23mΩ~62mΩ SiC MOSFET 系列并启动 650V 工艺新开发，SiC 具备更高击穿电场、低导通与超低开关损耗、优良短路能力，同时通过 Kelvin 源引脚封装降低寄生电感与开关能量，适配新能源车主驱、OBC、光储逆变等高效平台。

13. 包装与模块化方向（含 SiC 模块前瞻）（推理）
通过大电流 TO-247plus、PIM 与计划中的车规级 SiC 模块（业界趋势）组合，可在系统级实现从分立到模块的阶梯化设计选择，降低客户热设计与并联复杂度，提高平台复用率。

14. 应用领域矩阵
产品广泛进入消费电子、电脑及周边、手机通讯、物联网、工业电子、智能装备、轨道交通、光伏新能源、充电桩/储能、汽车电子（主驱逆变、DC/DC、OBC、升压）、5G 与数据/云基础设施等，为不同功率密度与效率目标提供合适器件组合。

15. 行业驱动与汽车/新能源增长逻辑
汽车半导体单车价值从约 600 美元向 1000 美元提升，电动车芯片用量显著增加；新能源车与光伏储能对中高压 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 的渗透率提升构成公司未来结构性需求支撑。

16. 技术栈协同（硅 + SiC + 封装 + 二极管）
“硅（MOSFET/IGBT）+ SiC（MOS/SBD）+ 配套 FRD/肖特基 + 模块封装”形成多材料、多结构的功率开关/整流器件“组合拳”，便于在功率等级、效率目标、成本约束之间做最优选型，提升客户平台化设计效率。

17. 差异化要点与竞争位置（推理）
差异化集中在：① MOSFET 覆盖宽电压区间并具备超结 Gen4 迭代；② 七代 IGBT + 高电流 TO-247plus + RC-IGBT 抢占光伏储能与汽车中功率窗口；③ 早期导入 SiC 1200V 多 Rds(on) 档与 650V 工艺开发；④ 自研正温度系数 FRD 与多电压平台并行；⑤ 专利与封装（Kelvin 引脚、模块多拓扑）支撑高频高功率效率。

18. 研发与平台建设路径
通过连续代次（超结 Gen4、IGBT 第七代、SiC 新产品、FRD 平台良率 97%+）显示其在器件结构、载流子调控、工艺密度与封装寄生优化等维度的迭代节奏，为后续拓展车规与更高可靠性标准奠定基础。

19. 未来趋势展望（推理）
预计将继续：向更低 Rds(on)/更高电流密度超结与沟槽平台迭代；加快 SiC 650V/1200V 向主驱与高功率模块化延伸；推动 FRD/SiC SBD 高温可靠性与车规认证；提升 PIM 拓扑多样性及车规级封装；并结合行业车用与新能源高复合增长实现产品结构升级。

20. 小结
新洁能产品线已形成从硅基 MOSFET（沟槽/屏蔽栅/超结）、IGBT（第七代单管 + 模块 + RC-IGBT）、SiC MOSFET & SBD、FRD/肖特基及相关封装平台的层次化矩阵，覆盖多电压与多应用场景；通过持续迭代的结构与材料技术叠加模块化与正温度系数 FRD 协同，提升在新能源、汽车与工业能效场景的系统价值与客户黏性。

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