Hello,大家好，今天我们来聊聊CMP工艺在FAB制造的前后道的应用。

前面有有介绍CMP的工艺，有兴趣的同学可以看看下面的。

芯片制造工艺--CMP【图文介绍】

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是一种用于处理硅晶圆或其他衬底材料的表面平坦化技术。

前道工艺应用

浅沟槽隔离（STI）

作用
在芯片里把不同的器件隔离开，防止它们之间出现电流泄漏的情况。
具体过程
先在硅片上刻出沟槽，接着填充二氧化硅，最后运用 CMP 工艺去除多余的二氧化硅，让硅片表面变得平整。

栅极平坦化

作用
对多晶硅或者金属栅极进行抛光处理，保证后续沉积层的均匀性。
重要性
这一步骤对晶体管的性能有着直接影响，比如会影响晶体管的开关速度。

层间介质（ILD）平坦化

作用
让金属层之间的绝缘层保持平整，避免因为表面不平整而在光刻过程中出现聚焦不良的问题。

后道工艺应用

金属互连制造

大马士革工艺
先在介质层中刻出沟槽和通孔，然后填入铜，再通过 CMP 去除表面多余的铜，从而形成金属导线。
铜互连
由于铜难以通过刻蚀的方法进行图案化，所以 CMP 就成了制造铜导线必不可少的工艺。

阻挡层抛光

结构
铜导线和介质层之间一般会有氮化钽（TaN）等阻挡层。
过程
先抛光掉多余的铜，接着再去除阻挡层，以防止铜发生扩散。

凸块下金属层（UBM）

作用
在封装时，为芯片和基板之间的连接提供平整的表面。

3D 封装与 TSV（硅通孔）

作用
对 TSV 露出的铜表面进行抛光，从而实现芯片之间的垂直电气连接。

先进封装的应用使 CMP 从晶圆制造前道工艺走向后道工艺。在封装领域，传统的2D封装并不需要CMP工艺，但随着系统级封装等新的封装方式的发展，出现了倒装、凸块、晶圆级封装、2.5D封装和3D封装等先进封装技术。其中TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，是实现芯片之间互连的最新技术，也是继线键合（Wire Bonding）、 TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。并且由于TSV技术中需要将CMP工艺用于TSV背面金属的露出，为背面互连的加工做好准备，故将CMP从前道工艺带入到了后道工艺之中，进一步加大了CMP抛光材料的需求。

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CMP在半导体制造的前后道工艺种都有哪些应用呢？