MOSFET是硬件工程师的老相好了，经常用到，像电源开关，开关电源，桥臂，逻辑电路等。

MOSFET的两种类型，PMOS和NMOS也是各有优点，有自己的适用场景，像PMOS负压开启，用在High side驱动起来比较简单；NMOS性能出色，但用在High side需要额外的驱动，例如自举，电荷泵，变压器之类的，驱动起来比较麻烦。

像在high side应用里面，PMOS看起来挺好用的，但在通流或功率要求较高的场景，却鲜见PMOS，为什么呢？其实看整个NPMOS的出货量，NMOS也是遥遥领先。

同样价格情况，同样封装情况下，一般NMOS的Rdson会比PMOS小很多，综合性能也更好。

PMOS常见的Rdson是>10mΩ，但NMOS很多<10mΩ的。

PMOS差在哪里？

原因有几方面：

载流子差异，这也是最重要的原因。
NMOS：依靠电子作为导电沟道中的载流子。
PMOS：依靠空穴作为导电沟道中的载流子。
电子在硅中的迁移率大约是空穴的2-3倍。硅的能带结构和载流子有效质量的不同，电子有效质量小，运动起来更灵活。在相同的电场强度下，电子移动得更快。
Rds(on) 本质上反映了沟道对电流的阻碍能力。更高的载流子迁移率意味着在相同的器件尺寸（沟道宽度 W、沟道长度 L）和相同的栅源电压 Vgs 下，沟道能够导通更大的电流。

工艺实现方面。NMOS通常做在p型衬底上，而PMOS要做在n阱里。n阱掺杂浓度一般比较高，这会导致空穴迁移率进一步下降。还有源漏区的形成，NMOS采用磷扩散比PMOS的硼扩散更容易获得低电阻，这也是个重要因素。

能否通过一些半导体设计手段实现两者性能相同？可以的，得加钱！为了实现和NMOS同等的Rdson性能，PMOS 需要占用大得多的芯片面积（增加沟道宽度），成本就会上去，阻碍应用端，也就是看到P没N应用广泛的局面。

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为什么一般PMOS Rdson比NMOS大？