华润微第6代高性能SGT MOS产品
华润微电子
产品详情
随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。
一、产品简介
PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。
△产品封装外形
二、产品优势
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产品性能显著提升
（1）体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰（EMI）表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。
△实测体二极管反向恢复特性：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(白)
（2） 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：
△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)
从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。
（3）UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：
△实测UIS波形（CRSK010NE2L6 264A未失效波形）
△实测UIS波形（竞品A 263A未失效波形）
CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。
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技术亮点
先进12吋fab低压小线宽工艺
产品采用ONO resurf 结构
Rsp值已达到行业优异水平
薄片工艺，减薄厚度50um
三、应用领域
CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块（buck）、砖块电源等。
四、PDBG AI服务器电源产品规划
PDBG持续致力于满足AI服务器电源的高性能需求，近期将推出一系列创新产品，敬请期待！
（1）双面散热系列产品：
CRSMD008N04N6Q
CRSMD013N06L4Z
CRSMD023N08L6Z
CRSMD039N10N4
优势：相较于传统封装底部散热，温升降低10℃以上，显著提升散热性能。
（2）集成SBR系列产品
平台：15V、25V、40V、100V
优势：体二极管Vf降低0.3V，Qrr降低超49%，Trr降低超32%，大幅提升高频应用电路效率。
（3）Source down + DSC产品：
CRSKN008NE2L6Z（DSCDFN3.3×3.3-SD-9，25V/ 0.8mΩmax）
CRSKN066N10N4（DSCDFN3.3×3.3-SD-9，100V/6.6mΩmax）
优势：相较于传统drain down，装片面积更大，散热效果更佳。
PDBG将持续创新，为AI服务器电源提供更高效、更可靠的解决方案。
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