三星电子HBM4扩产，新产线月产10万至12万片晶圆

三星电子今年将以平泽P4工厂为核心，启动DRAM新增产能提升近20%的相关工作。核心举措是大幅增产HBM4的核心原材料1c nm DRAM Die。业内分析认为，一方面公司HBM4技术竞争力正快速回升，另一方面AI客户对DRAM的需求持续增长，三星因此规划了积极的设备投资。

行业消息透露，三星电子已制定战略，将在其最新半导体工厂京畿道平泽 “P4工厂”，新建一条DRAM生产线，目标在明年第一季度前实现月产10万至12万片晶圆的产能。该产线将部署用于生产HBM4的 1c nm DRAM产线。

HBM是将多颗DRAM芯片垂直堆叠而成的内存产品。相较单颗 DRAM，其传输速度更快、存储容量更大，因此在需要复杂运算的人工智能领域备受青睐。HBM4是三星电子从今年起，将向英伟达、AMD 等 AI 芯片企业供货的最新一代HBM产品。三星将采用当前最先进的 1c nm DRAM，通过12颗垂直堆叠的方式制造HBM4。

业内认为，三星为HBM4新建 1c nm DRAM产线是一笔大规模投资。目前三星DRAM晶圆总产能为月产 66 万片，若新增最高 12 万片的产能，其DRAM总产能将在一年内提升最高 18%。

HBM4 专用 1c nm DRAM的产能占比也将同步提升。据悉，截至去年，三星已建成月产6万至7万片1c nm DRAM晶圆的产线。若按计划完成新产线建设，HBM4专用1c nm DRAM月产能将逼近20万片，这也意味着HBM4专用DRAM将占据三星总产能的25%。

此外，负责制造HBM4基底裸片的平泽晶圆代工S5工厂，其 4 纳米制程产线也已进入满负荷运转状态。平泽新建的 P5工厂外部施工正紧锣密鼓推进，力争赶在最快明年第一季度的半导体生产设备进厂节点前完工。三星同时在考虑扩大面向手机、家电等领域的通用型 1c nm DRAM产能，计划以现有非 1c 级制程的华城17产线为核心，大规模改造转产1c级DRAM。

三星今年大幅强化 1c nm DRAM产能，源于其对自身最新技术的信心，以及 AI 市场扩张催生的内存 “超级周期” 到来。近期三星对技术的信心显著回升。截至去年，公司在HBM4 1c nm DRAM制造环节一度遭遇较大技术困境。2024年，新任三星电子半导体（DS）部门负责人的全永铉副会长决定对 1c nm DRAM进行重新设计，该战略落地见效后，从去年上半年起，相关技术能力快速恢复。尤其在HBM4领域，三星上月率先超越竞争对手，通过 AI 芯片龙头企业英伟达的质量认证测试，即将进入批量出货阶段。面对HBM4产能亟需快速扩容的需求，三星选择以最新的P4工厂为核心，启动新产线建设。

同时，为应对AI热潮引发的内存供应紧张局面，三星也亟需扩大产能。市场调研机构Counterpoint Research数据显示，今年一季度，服务器用64GB DDR5 DRAM价格较去年四季度大幅上涨98%。业内人士预测：“三星电子拥有充裕的产能与资本实力，能够相对灵活地应对激增的需求。在技术回暖与供应缺口叠加的背景下，三星今年将推行相当激进的设备投资策略。”