HBM9或于2040年问世，性能有望达到HBM4的60倍
来源：半导纵横发布时间：2025-11-28 17:56
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韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测，HBM9预计将于2040年左右问世，其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构，带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。
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